PIN二极管的PIN二极管的特性:

加负电压（或零偏压）时，PIN管等效为电容+电阻；加正电压时，PIN管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择PIN二极管参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或0偏置）的PIN管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。

图1给出了PIN二极管在正向导通时的电荷分布情况．为简化起见，我们假设I区域中电子与空穴分布对称且分布密度相同．设x=－d处的空穴分布密度为p1，在[－d,0]区域中的剩余空穴电荷为q2，且位于x=－d/2处，这样此区域的平均空穴密度为：p2=q2/qAd．这里A为结面积，q为单位电荷．

图1PIN二极管的电荷分布

由于P+区域的空穴密度远大于电子密度，这样在x=－d处的电子电流可以忽略(所引起的误差将在下文讨论)．二极管的电流密度可以表示为[9]

其中Da为扩散常数；Jh为空穴电流密度．

二极管的电流为

电荷q2与电流的关系式为

其中τa为寿命时间．

式(2)及式(3)描述了二极管的模型，通过定义qE=2q1，qM=2q2及T=d2/2Da，两式可简化为

图2表示了在感性负载时二极管的关断过程．此过程可分为两个阶段：从t=T0到t=T1，二极管处于低阻抗状态，其电压近似为0，在t=T1时刻，二极管中I区域边缘的剩余电荷变为0，二极管开始呈现高阻抗状态．在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1时刻后二极管的电流为

其中τ?rr由式(7)给出，I?rr为反向恢复电流峰值．

图2反向恢复电流波形

一般情况下，t?rr、I?rr及测试条件di/dt、I?FM均在器件的产品手册上列出．根据式(6)及测试条件，τ?rr可由下式获得

其中a=－di/dt．

根据图2所示的反向电流波形，qM在t≤T1阶段的表达式为

当t=T1时，i（T1）=－I?rr=－qM（T1）/T，代入上式得式(10)，τa可由此式解出

然后参数T可由τa、T及τ?rr的关系式(7)算出．

从以上的讨论可以看出，该模型的参数可以方便地从产品手册中得到：首先由式(8)计算τ?rr，再从式(10)解得τa，最后由式(7)决定参数T。

PIN二极管是什么？

PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管，在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，在P区与N区之间生成I型层，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。工作原理在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的N型半导体，就可以增大耗尽区的宽度，达到减小扩散运动的影响，提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低，近乎本征（Intrinsic）半导体，故称I层，因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚，几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位，这就大大加快了响应速度。硬之城有这个型号的可以去看看有这方面的资料么

肖特基二极管的原理有哪些呢？

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的

电子元器件上说的PIN是什么意思

什么是 PIN diode

一个硅面结型二极管，在p型半导体层和n型半导体层之间有一层轻渗杂的本征半导体层。其稠密的P和N掺杂区域被相对厚的高电阻率的本征层(I)所分隔，这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。

PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。它可以开关微波传输线辣且作为微波限制器在系统峰包功率小于100 kW时取代TR(发射和接收)管；它还可以用作可变微波衰减器，和在微波相阵控系统中作为电子控制的快速反应的移相器。

PIN二极管的特性:

加负电压（或零偏压）时，PIN管等效为电容+电阻；加正电压时，PIN管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择PIN二极管参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或0偏置）的PIN管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。

图1给出了PIN二极管在正向导通时的电荷分布情况．为简化起见，我们假设I区域中电子与空穴分布对称且分布密度相同．设x＝－d处的空穴分布密度为p1，在［－d,0］区域中的剩余空穴电荷为q2，且位于x＝－d／2处，这样此区域的平均空穴密度为：p2＝q2／qAd．这里A为结面积，q为单位电荷．

图1PIN二极管的电荷分布

由于P＋区域的空穴密度远大于电子密度，这样在x＝－d处的电子电流可以忽略(所引起的误差将在下文讨论)．二极管的电流密度可以表示为

其中Da为扩散常数；Jh为空穴电流密度。

二极管的电流为

电荷q2与电流的关系式为

其中τa为寿命时间．

式(2)及式(3)描述了二极管的模型，通过定义qE＝2q1，qM＝2q2及T＝d2／2Da，两式可简化为

图2表示了在感性负载时二极管的关断过程．此过程可分为两个阶段：从t＝T0到t＝T1，二极管处于低阻抗状态，其电压近似为0，在t＝T1时刻，二极管中I区域边缘的剩余电荷变为0，二极管开始呈现高阻抗状态．在式(4)、(5)中令qE＝0可得t＝T1时刻后二极管的电流为

其中τrr由式(7)给出，Irr为反向恢复电流峰值．

图2反向恢复电流波形

一般情况下，trr、Irr及测试条件di／dt、IFM均在器件的产品手册上列出．根据式(6)及测试条件，τrr可由下式获得

其中a＝－di／dt．

根据图2所示的反向电流波形，qM在t≤T1阶段的表达式为

当t＝T1时，i（T1）＝－Irr＝－qM（T1）／T，代入上式得式(10)，τa可由此式解出

然后参数T可由τa、T及τrr的关系式(7)算出．

从以上的讨论可以看出，该模型的参数可以方便地从产品手册中得到：首先由式(8)计算τrr，再从式(10)解得τa，最后由式(7)决定参数T。

设计PIN二极管时需主要考虑几个参数

1. 插入损耗：开关在导通时衰减不为零，称为插入损耗

2. 隔离度：开关在断开时其衰减也非无穷大，称为隔离度

3. 开关时间： 由于电荷的存储效应，PIN管的通断和断通都需要一个过程，这个过程所需时间

4. 承受功率： 在给定的工作条件下，微波开关能够承受的最大输入功率

5. 电压驻波系数： 仅反映端口输入，输出匹配情况

6. 视频泄漏

7. 谐波： PIN二极管也具有非线性，因而会产生谐波，PIN开关在宽带应用场合，谐波可能落在使用频带内引起干扰. 开关分类：反射式和吸收式， 吸收式开关的性能较反射式开关优良

控制方式：采用TTL信号控制。'1'通'0'断

PIN二极管型号的选择主要是根据所做光功率计的测量范围来确定的。常用的PIN二极管(如FU-15PD)都是小信号工作器件,光敏面不合适,能接收的光功率范围很有限,所以一般不用它做光功率计的探测器。

PIN二极管还可以调节到高频范围。为改善隔离特性，我们可以将两个或多个二极管串联起来，但同时会引起介入损耗的增大。PIN二极管本质上还属于电流控制的电阻器。为减少介入损耗，它们需要采用大量的直流电源以降低I（本征）区内的电阻率。这显然会影响电池寿命。这种特点，再加上PIN二极管方案需要大量器件，使得这种技术很难应用于便携手持式产品。PIN就是元器件的管脚输入功率 P是功率 IN是输入

打代码中，ledPin中的pin什么含义？这个是什么意思？

Pin 标识号 (PIN＝personal identification number )用于保护智能卡免受误用秘密标识代码PIN 与密码类似卡所者才知道该 PIN拥该智能卡并知道 PIN 才能使用该智能卡

手机配或密码防止未经许使用手机PIN 码 PUK 码实际保护 SIM 卡,SIM 卡手机内用于建立网络连接张卡片

数情况您网络运营商或服务供应商提供关 PIN 码 PUK 码佳帮助

用密码 PIN 码 (识别号码)您自设置 PIN 码并按照用户手册说明启用或禁用 PIN 码

PIN2 码特定手机功能提供第二层保护 PIN 码其作用式与 PIN 码相同您用户手册提供更信息哦，其他的我不知道,我只知道stc有一款stc15f104w系列的，8个脚，1-2元可以在stc官网上资料www.stcmcu.com，这个月还会出一款stc15w204s系列的8个脚的芯片